一、考試的總體要求
要求考生熟悉、掌握基本半導(dǎo)體器件、基本放大電路和集成運(yùn)算放大器(集成運(yùn)放)的知識(shí);能夠利用電路技術(shù)領(lǐng)域的基本概念和原理對(duì)采用基本半導(dǎo)體器件和集成運(yùn)放組成的電路進(jìn)行分析、計(jì)算和應(yīng)用,并得到合理有效的結(jié)論。
二、考試內(nèi)容及比例
1.半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí);10% 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí),晶體二極管理論,晶體二極管電路分析方法與應(yīng)用。
2.晶體三極管;10%
晶體三極管的工作原理,晶體三極管的特性曲線(xiàn),晶體三極管的小信號(hào)電路模型和分析方法,晶體三極管應(yīng)用原理。
3. 場(chǎng)效應(yīng)管;10%
MOS 場(chǎng)效應(yīng)管和 J 型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理、特性曲線(xiàn)、小信號(hào)模型分析方法和應(yīng)用原理。
4.放大器基礎(chǔ);25%
基本放大器(含差分、多級(jí)放大器)電路的工作原理和指標(biāo)參數(shù)(輸入阻抗、輸出阻抗、增益、帶寬等)分析方法。
5.反饋放大器;20%
反饋類(lèi)型判斷、負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響,深度負(fù)反饋放大器性能分析,負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性分析。
6.集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路;25%
理想集成運(yùn)放應(yīng)用電路及其分析方法,集成運(yùn)放性能參數(shù)及其對(duì)應(yīng)用電路的影響。
三、試卷題型及比例
| 試卷題型 | 比例 |
| 1、選擇、填空題: | 20%; |
| 2、分析、判斷題 | 15%; |
| 3、計(jì)算、設(shè)計(jì)題 | 60%; |
| 4、其他 | 5%。 |
注:以上比例僅供參考,綜合題型是不同部分內(nèi)容或不同題型的混合,在試卷中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)。
四、考試形式及時(shí)間
考試形式為筆試,考試時(shí)間 1.5 小時(shí),滿(mǎn)分 65 分。
五、參考書(shū)目
1、《電子線(xiàn)路:線(xiàn)性部分(第五版),馮軍 謝嘉奎 主編,高等教育出版社,2010 年 1 月。
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