本復試考試由兩部分組成，請考生根據自己的具體情況任選一部分進行答題。

第一部分： 半導體集成電路復試大綱（參加微電子學復試的考生參考）

一、考試的總體要求

"半導體集成電路"是微電子技術專業的主干課程。本大綱包括"半導體特種效應"、"半導體集成電路"。目的是考察考生對基本理論、基本知識、基本技能及分析問題和解決問題的能力。

二、考試內容及比例

（一）半導體特種效應（40%）

1、 半導體異質結：異質結概念及能帶圖，異質結鍺硅雙極晶體管的結構、性能特點與原因，高電子遷移率晶體管的結構、性能特點與原因；

2、 半導體光學性質：半導體光吸收，半導體光電探測器, 半導體太陽電池，半導體發光概念與應用，半導體激光基本原理；

3、 半導體霍爾效應、半導體熱電效應及其應用、半導體壓阻效應。

（二）半導體集成電路（60%）

1、 MOS 反相器及其基本邏輯單元 E/D 反相器、CMOS 反相器、自舉反相器、動態反相器、

NMOS 邏輯結構、傳輸門邏輯。

2、 導線模型及寄生參數 互連參數、集總式模型、分布式模型。

3、 CMOS 組合邏輯門的設計 靜態 CMOS 組合邏輯、動態 CMOS 組合邏輯。

4、 時序邏輯電路設計 靜態鎖存器和寄存器、動態鎖存器和寄存器、流水線、非雙穩時序電路。

5、 數字電路中的時序問題 數字系統的時序分類、同步設計、自定時電路設計、時鐘的不確定性。

6、 設計運算功能塊 數字處理器結構中的數據通路、加法器、乘法器、移位器。

三、試卷題型及比例

1、 選擇，填空題：15%；

2、 簡答題：30%；

3、 論述題：40%； 4、綜合題：15%。

四、考試形式及時間

考試形式為筆試，考試時間 1.5 小時，滿分 65 分。

五、參考書目

1、 半導體物理學，（第七版）， 劉恩科、朱秉升、羅晉生編著，電子工業出版社。

2、 半導體物理與器件，美 Neamen 著，趙毅強等譯，電子工業出版社；

3、 數字集成電路--電路、系統與設計，周潤德等譯，電子工業出版社；

4、 半導體集成電路、朱正涌編著，清華大學出版社。

第二部分：薄膜電子技術復試大綱（參加固體電子學專業復試的考生參考）

一、考試的總體要求

"薄膜電子技術"是微電子學與固體電子學專業的主干課程。本課程的考試目的是考察學生對基本理論、基本知識、基本技能的掌握情況，考察學生分析問題解決問題的能力。

二、考試內容及比例

1、薄膜的制備技術：

1) 真空技術基礎：

真空的基本知識，真空的獲得，真空度的表征和檢測。

2) 物理氣相沉積鍍膜技術：

真空蒸發鍍膜原理，蒸發源類型及原理，蒸發特性及參數，合金及化合物蒸發。 濺射鍍膜類型及原理、特點，濺射特性參數。 離子鍍膜原理、特點。

3) 化學氣相沉積鍍膜技術：

不同類型化學氣相沉積鍍膜方法原理及特點 常壓化學氣相沉積，低壓化學氣相沉積，等離子增強化學氣相沉積，有機金屬化學氣相沉積，光化學氣相沉積。

4) 溶液鍍膜法：

化學鍍，溶膠-凝膠法，LB 膜的制備原理和特點。

2、薄膜形成理論：

1） 薄膜的形成過程,薄膜的形成與生長形式。熱適應系數，熱力學界面能理論，原子聚集理論。

2） 薄膜的結構與缺陷： 薄膜的組織結構、晶體結構、表面結構，薄膜的缺陷及產生機理。

3、薄膜結構與化學組分檢測方法： X 射線衍射法，掃描電子顯微鏡法，俄歇電子能譜法，

X 射線光電子能譜法，檢測原理與特點。

三、試卷題型及比例

1、 選擇，填空題：15%；

2、 簡答題：30%；

3、 論述題：40%； 4、綜合題：15%。

四、 考試形式及時間

考試形式為筆試，考試時間 1.5 小時，滿分 65 分。

五、 參考書目

薄膜物理與技術，楊邦朝等，電子科技大學出版社。